首款全碳化硅模塊EASY1B已經(jīng)量產(chǎn)，到2022年碳化硅半導(dǎo)體材料的市場(chǎng)規(guī)?；?qū)⑦_(dá)到40億美元。

　　英飛凌在2016年6月上海舉辦的PCIM上展出了首款全碳化硅模塊，在2017年紐倫堡舉辦的PCIM上展出了1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列的其他模塊平臺(tái)和拓?fù)洌F(xiàn)在，英飛凌已經(jīng)實(shí)現(xiàn)首款全碳化硅模塊EASY1B的量產(chǎn)。

　　碳化硅具有寬能級(jí)、高擊穿電場(chǎng)、高熱傳導(dǎo)率以及高飽和電子遷移速度等獨(dú)特、優(yōu)良的物理和電子特性，由碳化硅微粉制作的碳化硅半導(dǎo)體是新一代寬禁帶半導(dǎo)體，碳化硅半導(dǎo)體具有熱導(dǎo)率高(比硅高3倍)、與GaN晶格失配小(4%)等優(yōu)勢(shì)，是半導(dǎo)體領(lǐng)域的最佳材料。

　　碳化硅微粉制備功率模塊流程圖如下：

　　盡管英飛凌已經(jīng)實(shí)現(xiàn)首款全碳化硅模塊EASY1B的量產(chǎn)，但是以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料，在材料和器件制備技術(shù)方面還有很多問題，如何提高碳化硅晶片的尺寸以及碳化硅晶片量產(chǎn)難、制作成本高等問題都制約著碳化硅半導(dǎo)體的應(yīng)用發(fā)展。不過(guò)，隨著大量資金投入相關(guān)科研項(xiàng)目和研究所，碳化硅半導(dǎo)體的應(yīng)用爆發(fā)期即將來(lái)臨，根據(jù)預(yù)測(cè)，到2022年，碳化硅半導(dǎo)體材料的市場(chǎng)規(guī)?；?qū)⑦_(dá)到40億美元，年平均復(fù)合增長(zhǎng)率可達(dá)45%。

　　碳化硅半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展，對(duì)生產(chǎn)碳化硅粉的企業(yè)來(lái)說(shuō)既是機(jī)遇也是挑戰(zhàn)。一方面對(duì)中小型企業(yè)來(lái)說(shuō)，由于生產(chǎn)技術(shù)落后等因素，生產(chǎn)不出高品質(zhì)的碳化硅微粉，就將面對(duì)市場(chǎng)淘汰或被吞并。另一方面可以推動(dòng)資源整合，優(yōu)化資源配置，使碳化硅粉市場(chǎng)更加有序穩(wěn)定。